第九十七章 国产半导体

第九十七章 国产半导体 (第2/2页)

在前几年国产半导体大火的时候，young对国产半导体行业有很深的研究。
　　
　　他完全不像程钢那么乐观：
　　
　　“国产光刻机远没有外界宣传的乐观，目前国产光刻机实现了28nm的制程，但是良品率远没有asml来的高。”
　　
　　“更重要的在于28nm好研究，但是想再往前，14nm、7nm的光刻机会异常困难。”
　　
　　“目前光刻机指标有nodecd和half-pitchcd。”
　　
　　“half-pitchcd是专用于光刻领域描述光刻分辨度的技术指标。比如说前一代193i光刻机，hpcd极限值等于38nm.现在的euvnxe3400b可以做到极限13nm.”
　　
　　“nodecd跟hpcd不是一个概念。”
　　
　　“nodecd是一个半导体器件的概念，目前主流媒体所说的技术节点便是这个nodecd。”
　　
　　“一般来说nodecd约等于1/2*hpcd。”
　　
　　cd全称是criticaldimension
　　
　　“其中11年intel首先将finfet技术引入22nm节点。”
　　
　　“22nm要求44nm的光刻hpcd。这个要求在实际工艺中很难实现，太接近38nm极限值了。”
　　
　　“所以intel率先使用doublepatterning技术。这一技术把同一层的非常靠近的光刻图案分解到两个掩模(mask)上。分两次曝光实现。”
　　
　　“同理，self-aligned的技术也被引入，三次曝光，四次曝光都成为了可能。”
　　
　　程钢听得满脸问号，内心对young在半导体领域的造诣之深感到震惊。
　　
　　五十岁的人了对前沿技术信手拈来，能做成idg的合伙人果然都是狠人。
　　
　　他没有打断young，因为他对这方面也很感兴趣。
　　
　　“所以就光刻技术而言，分辨率并不是大问题。尤其在self-aligned技术中。deposition淀积可以实现非常好的精度控制，特别是ald，能实现atomonatom的精确控制。”
　　
　　“既然光刻图案需要被分解到多个mask上，芯片的图案自然不能由着芯片ic设计师随意画了，得遵循光刻的规则。”
　　
　　“花为海思部门有在申海的，有在鹏城的。没一家在弯弯。”
　　
　　“而这种光刻版图的规则毫无疑问是芯片代工厂的最高机密。tsmc不可能透露给客户的。海思只能把逻辑设计交给台积电，台积电再进行制造的优化。”
　　
　　“海思原始设计没办法考虑这些光刻规则。这也是为什么业界一直认为长期竞争中，intel与三星优势的原因。”
　　
　　“三星很早就把三次，甚至四次曝光（self-aligned）技术引入了nandflash生产。”
　　
　　“因此当台积电还在22nm时，三星就开始宣传我们已经有14甚至10nm技术了。大概是13年的时候。”
　　
　　“三星与台积电在芯片代工中是竞争对手。台积电嘴巴上当然不能输。悄悄的放宽了nodecd的定义，也把自己技术从22nm吹到了14nm。”
　　
　　“这种夸大也延续到了现在，实际上三星跟台积电的7nm只比intel的14nm强一点，强的有限。”